（J-V曲线结果）。
    第五，提出了另一套理论解释：相对于IDIC结构，IDIC-4F引入了氟原子（分子结构设计）→分子内的相互作用增强（根据早期其他研究者提出的理论）→受体材料的HOMO/LUMO能级变深、光吸收红移（CV、UV-vis结果）→短路电流提高、开路电压提高（J-V曲线结果）。
    第六，类似学妹之前H43:IT-4F体系，J2:IDIC-4F体系给受体之间的HOMO能级差同样比较小，仅为0.16电子伏特（CV结果），也表现出优异的电荷输运性能（PL、TRPL、TAS结果），理论解释为IDIC-4F材料具有低的激子结合能。
    第七，针对大面积、厚膜器件效率均破10%的现象，同样给出了可能的理论解释，即IDIC-4F材料的激子扩散距离很高，R-SoXS结果表明聚集相的尺度达到30纳米以上，比传统富勒烯体系更大，进一步提供了佐证。
    一番盘点下来，十几种表征测试，大多都串联了起来，只有TEM和AFM这样的电子显微镜数据没什么用，因为确实拍出来的图像就是白花花的一片，啥也看不出来。
    于是，这两项表征，许秋在文章中稍微提了一句通用
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