率的比拼上。
    目前，性能最好的一个工作是基于PCE10:PCBM的半透明器件，效率只有7%，AVT也只有25%，他们采用的电极是薄层的10纳米银电极。
    正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝，以PCE10:IEICO-4F和PCE10:FNIC-4F两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的100纳米不等。
    最终的结果，以PCE10:IEICO-4F体系为例。
    电极厚度在100纳米条件下，金、银、铝电极，器件最高效率分别为12.3%、12.4%和12.5%，三种电极的器件效率相当。此时器件的AVT约为0，即器件几乎完全不透过可见光。
    50纳米条件下，最高效率分别为12.0%、12.1%和12.0%，三种电极的器件效率仍然相当。此时器件的AVT同样约为0。
    30纳米条件下，最高效率分别为10.8%、11.0%和6.2%，三种电极的器件效率产生分化，其中金、银作为电极的器件，效率衰减不明显，而铝作为电极的器件，效率衰减比较严重。此时器件的AVT达到了5%-10%，可见光有部
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