ull.变为综合类一区了嘛。
    而且，这两篇文章都非常的短，他们发表的格式是“Short unication（短通讯）”。
    本来相较于正常Article格式的文章，unication就够短的了，一般是三千个单词左右，三到五张图片的样子。
    而现在这个Short unication更夸张，正文只有两页半，全文就一张图片，整合了分子结构、光吸收光谱、荧光光谱、J-V特性曲线以及EQE曲线。
    不过，实验方面的工作量其实也没少太多，因为其他的表征测试也是做了的，包括光源GIWAXS，电镜TEM、AFM，电荷迁移率SCLC，只是被放在了支持信息中，里面有足足20张图片。
    当然，文章短不短的，对许秋来说也无关紧要。
    他主要关注到三个点，即COi8DFIC体系具有“超窄禁带宽度”、“高电流密度”、“对膜厚不敏感”的特点。
    COi8DFIC的禁带宽度只有1.26电子伏特，光吸收带边可以达到1000纳米，已经接近硅的禁带宽度了，常温下本征半导体硅的禁带宽度为1.12电子伏特。
    也因此，基于COi8DFIC二元体系
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