的部分，就只剩下底电池的J4:PCBM:IDIC-4F体系。
    这个体系作为底电池的光吸收范围，大约在300-700纳米，而作为顶电池的PCE10:IEICO-4F体系，光吸收范围大约在600-1000纳米。
    两者在600-700纳米处的光吸收是重合的，重合程度大约有100纳米，这个范围还是稍微有些大的。
    因此，许秋计划把底电池中的IDIC-4F给替换掉，以期让底电池的光吸收范围向短波长移动（蓝移），从而使得顶电池和底电池两者之间重合波长范围变小一些，给顶电池多留一些光。
    不过，考虑到IDIC这个体系本身还是不错的，可以制备厚膜器件，便于调控底电池的电流，许秋并不打算放弃使用IDIC系列。
    于是，他决定采用IDIC的另外一个衍生物IDIC-M，来代替IDIC-4F。
    相较于IDIC-4F，IDIC-M体系的光电性能虽然略微降低，但也可以保持在12%、13%这个档次。
    最重要的是，IDIC-M体系的光吸收范围，相较于IDIC-4F发生了一定程度的蓝移。
    这主要是因为IDIC-4F和IDIC-M端
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