当然，这也不是什么非常关键的问题，虽然表述方法不同，但背后的逻辑是一致的。
    许秋检查了一下莫文琳的实验规划，发现她在膜厚的优化区间中存在一些问题。
    她过多的参考了原先三元底电池，二元顶电池叠层器件的经验。
    而实际上，现在发展成为二元底电池，三元顶电池叠层器件后，情况有了很大的不同。
    比如，原先三元底电池，二元顶电池的最优条件，是顶电池厚度110纳米，底电池厚度220纳米。
    现在的二元底电池，三元顶电池的最优条件是，顶电池厚度130纳米，底电池厚度190纳米。
    偏差了20-30纳米的膜厚，反应在器件效率上，可能就会相差1%-2%。
    另外，现实中用到的是以浓度、转速作为实验条件的，当体系发生变化后，比如二元体系变更为三元体系，同样浓度、转速下得到的膜厚也会与之前有所不同。
    换言之，看似只是把PCBM的位置挪动了一下，实际上前后两个体系的差异已经非常大了，因此需要重新摸索条件。
    现在的莫文琳，就相当于在16%等效率线的边缘不断摸索，自然取得难以突破。
    许秋要做的事情，
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