现在的效率，已经正式突破了16%的大关——
    达到了16.22%！
    两个体系性能上的差别，主要来自于短路电流密度。
    三元IDIC-M/二元COi8DFIC体系的短路电流密度可以达到14.32毫安每平方厘米，相较于三元IDIC-M/二元IEICO-4F体系的13.98毫安每平方厘米，提升了大约2.4%。
    而两者在开路电压和填充因子上的变化并不大。
    最终，这种差异反应在器件光电转换效率上，就是从后者的15.91%变化到前者16.22%，刚好也是提升了2%左右（相对数值），与短路电流密度的提升幅度相当。
    虽然相对2%的提升，看似很小，但到了最后效率冲刺的阶段，每一点点细微的优化都是非常关键的。
    拿到数据后，许秋开始探究这个实验现象背后的原因，看看能不能找到合理的解释，以及进一步优化的空间。
    一方面，许秋认为两种叠层体系短路电流密度的变化，可以归因于原本二元单结体系的差异。
    虽然COi8DFIC和IEICO-4F两种材料的禁带宽度相当，但是在实际制备器件的时候，形成的有效层薄膜的显
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