微形貌也会对短路电流密度造成影响。
    这就导致在二元单结的体系中，PCE10:COi8DFIC体系的短路电流密度，就比PCE10:IEICO-4F要高一些，前者可以达到26毫安每平方厘米左右，而后者只有23-24毫安每平方厘米。
    现在把它们用于叠层器件中的顶电池，大概率也会“遗传”一部分它们在二元单结体系时的特性。
    另一方面，李丹课题组另外一篇基于COi8DFIC三元体系的文章，给了许秋进一步优化的思路。
    叠层器件之前引入PCBM，并不是为了提高对应子电池的器件效率，而是为了方便对叠层器件各个子电池的光吸收性能进行调控，让顶电池和底电池的短路电流密度相匹配。
    换言之，PCBM到底放在底电池中，还是放在顶电池中，其实并不是很重要。
    现在，最优的叠层体系是三元IDIC-M/二元COi8DFIC体系。
    根据李丹课题组报道的结果，基于COi8DFIC的三元体系，器件效率高于COi8DFIC二元体系。
    而自己组里的实验结果表明三元IDIC-M体系的性能，和二元IDIC-M体系的性能并无明显差异。
 
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